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Inventory:27000 Min Order：10
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  • Model：2SK3105
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+30Knopb 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XA
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.056Ω/Ohm @1.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Can be driven by a 4 V power source Low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 可以由一个4 V电源驱动 低通态电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3105
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