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Inventory:324800 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2SK3376TT-B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0613NOPB 06NOPB
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3B
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		 0.17~0.3ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.15~-1v
耗散功率Pd
Power Dissipation		 100mW/0.1W
Description & Applications •Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
描述与应用 •场效应晶体管的硅N沟道结型

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3376TT-B
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