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Inventory:922 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI3424DV-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+nopb 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：24GAG
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.028Ω/Ohm @7A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation2.98W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3424DV-T1-E3
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