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Inventory:172884 Min Order：10
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  • Model：SSM6L05FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：13+rohs 06rohs884
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K4
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V/12V
最大漏极电流Id
Drain Current		400mA/-200mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300mΩ@ VGS = -4V, ID =-100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.1V/-0.6~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Q2: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = −4 V) Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ？小型封装 ？低阻力Q1：RON =0.8Ω（最大）（@ VGS=4 V） Q2：RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS=-4 V） ？低栅极阈值电压

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6L05FU
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