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Inventory:42000 Min Order：10
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  • Model：SSM6N29TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+rohs 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KK1
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		800mA/0.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		143mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 600mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications • 1.8 V drive • N-ch 2-in-1 • Low ON-resistance: Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 •1.8 V驱动器 •N沟道2合1 •低导通电阻：RON= 235MΩ（最大）（@ VGS= 1.8 V） RON=178MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） RON=143MΩ（最大）（@ VGS=4.0 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N29TU
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