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Inventory:1600 Min Order：10
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  • Model：2SK2552
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J6
  • Package：SOT-523/SC-75/USM

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.2~0.45ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.1~-1v
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & Applications•JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA)
描述与应用•结型场效应晶体管 •N沟道硅结型场效应晶体管 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2552
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