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  • Model：2SK3075
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UBF
  • Package：PW-X

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage25V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER Features RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER
描述与应用TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER 特性 RF功率MOSFET VHF和UHF频带功率放大器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3075
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