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2N7002K-T1-E3 MOSFET N-Channel 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking 7K high saturation current/ESD protection
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2 Ω Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET® Power MOSFET 2000 V ESD Protection |
| 描述与应用 | N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻：2Ω 低阈值：2 V（典型值 低输入电容：25 pF 开关速度快：25纳秒 低输入和输出泄漏 的TrenchFET®功率MOSFET 2000 V ESD保护 |
